半導體器件、晶圓、多層芯片與光電元件的微觀結構觀測，對表麵質量、截麵平整度、定位精度、無損傷提出非常高要求。傳統機械研磨、拋光、切割會帶來劃痕、應力層、非晶層、界麵變形、熱損傷等問題，導致 SEM 成像模糊、EBSD 無法解析、失效分析定位不準。

Technoorg Linda SEMPREP SMART 氬離子切割/拋光係統（離子研磨儀），以非接觸、無應力、低溫升方式實現高精度截麵製備與表麵拋光，很好的適配半導體從材料表征到失效分析的全場景需求，是目前半導體實驗室與產線的主流製樣方案。

01.核心優勢

• 最大 8 mm 寬區域切割：適合功率器件、MEMS、圖像傳感器等

• 可選冷卻（Peltier / 液氮）：保護有機半導體、鈣鈦礦等熱敏材料

• 無應力拋光表麵：直接用於EBSD、EDS分析

• AI 輔助配方 + 自動化流程：降低操作門檻，提升重複性

02.應用案例

01.LED 芯片多層結構精細拋光

LED 芯片由多層異質材料堆疊（如 n-GaN、多量子阱發光層、p-GaN、金屬電極）。研發人員需要精確測量各層厚度、界麵質量以及電極晶粒分布。

使用 SEMPREP SMART 離子研磨儀拋光後能夠清晰顯示金屬導線、多層量子阱結構、外延層界麵，在高倍 SEM 下可精確測量層間距、膜層厚度、界麵平整度，並有效識別分層、空洞、裂紋、夾雜等缺陷。

02.微電子電路元件 - 精準截麵失效分析

在半導體芯片失效分析中，需要對直徑約 10 μm 的微小接觸點進行精準截麵切開，以觀察內部導通狀態、層間連接、空洞、裂紋與脫層。傳統製樣方法容易切偏、壓潰結構，無法滿足分析要求。

SEMPREP SMART 憑借 ±1 μm 對準精度，可在芯片表麵精確定位切割區域，通過 90° 垂直截麵穩定暴露深層電路結構。製備完成的截麵可清晰呈現接觸點 — 金屬布線 — 下層電路的完整界麵，無變形、無偏移、無損傷。

03.單晶矽晶圓  90°  截麵切割

單晶矽是半導體產業最基礎的核心材料，其內部缺陷、摻雜分布、截麵平整度直接影響器件性能。機械拋光會在矽表麵形成損傷層與非晶層，導致 SEM 圖像失真、EBSD 衍射斑點模糊。

SEMPREP SMART 采用高能氬離子束進行物理濺射刻蝕，以原子級逐層去除材料，不產生機械應力與熱損傷。在 16 kV 加速電壓、570 μA 束流、1 小時工藝條件下，可實現 500 μm 深度的 90° 垂直截麵，且全程無主動冷卻，樣品溫升僅 28℃。

最終獲得的截麵平整、無再沉積、無簾狀效應、無晶格損傷，可直接用於高分辨 SEM 成像、缺陷觀察、晶向分析與 EBSD 測試。

SEMPREP SMART 氬離子製樣係統為半導體領域提供了高精度、無損傷、可重複、高效率的全流程解決方案。它從根本上解決了機械製樣帶來的劃痕、應力、變形、假象、熱損傷等痛點，覆蓋矽基材料表征、芯片失效分析、光電器件檢測、先進封裝結構觀測、EBSD / 高分辨 SEM 前置製樣等核心應用。